XFuture » Новости » Компьютеры » Экономичная фазовая память PRAM
Информация к новости
  • Просмотров: 1533
  • Автор: admin
  • Дата: 11-03-2011, 12:54
11-03-2011, 12:54

Экономичная фазовая память PRAM

Категория: Новости » Компьютеры

 

 

Ученые университета Иллинойс разработали на базе нанотрубок устройство, потребляющие при перезаписи в сто раз меньшую мощность чем предыдущие образцы. В основе памяти PRAM находятся мелкие фрагменты быстро меняющего свое состояние материала. Два фазных состояния можно различать как 0 и 1. Переключение производится импульсом тока точно подобранного параметра. Используя углеродные нанотрубки диаметром в несколько нанометров для подвода тока, удалось радикально снизить энергопотребление.

Проведенные тесты показали, что для управления битами требуется  ток 0.5-5 микроампер. Планируется на переключение одного бита использовать энергию меньше одного фемтоджоуля. В современной жизни эта разработка поможет увеличить время работы карманных электронных устройств, позволит создавать многослойные схемы, улучшит параметры телекоммуникации.


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

^